Kokusai Quixace 2 300mm
Kokusai QUIXACE-II 300mm 垂直爐管系統
Kokusai QUIXACE-II 是一套 300mm 大批次垂直式熱製程平台，可用於半導體薄膜沉積與熱處理。依據實際安裝配置，QUIXACE-II 可支援 CVD 與氧化膜沉積、氧化、擴散及退火製程。高葉提供 QUIXACE-II 設備翻新、零組件、安裝及現場服務支援。
Kokusai QUIXACE-II 平台概覽
KOKUSAI ELECTRIC QUIXACE-II 是一套為高產能半導體製造所開發的 300mm 批次式熱製程平台。此平台整合溫度控制、自動晶圓搬運、真空與氣體置換、冷卻及沉積技術，以支援穩定且可重複的批次製程。
QUIXACE-II 可應用於薄膜沉積與熱處理製程。依據實際安裝配置，其製程能力可涵蓋薄膜沉積、CVD 與氧化膜沉積、氧化、擴散，以及低溫或高溫退火。
高葉將 Kokusai QUIXACE-II 納入熱製程設備支援範圍，提供設備翻新、安裝、故障排除、預防性維護及替換零組件支援。
製程應用
QUIXACE-II 適用於需要精準溫度控制、穩定晶圓搬運及一致製程條件的批次式熱製程。實際製程能力取決於已安裝的系統配置與反應器。
CVD 與薄膜沉積
透過批次式沉積製程形成受控薄膜，包括 CVD 與氧化膜沉積應用。
氧化
透過受控熱氧化製程在半導體晶圓表面形成氧化層。
擴散
用於擴散製程的批次式熱處理，在整批晶圓負載中維持穩定的溫度控制。
退火
適用於需要受控批次加熱與穩定熱條件的低溫及高溫退火製程。
測試與驗證
設備及完成維修的組件可於交付或安裝前進行檢查與測試。視專案需求，我們可在潔淨室環境中進行測試，於模擬晶圓廠操作條件的受控環境下驗證設備效能。
最終驗證方式會依據翻新範圍、實際設備配置及雙方議定的驗收標準進行。
交付前受控驗證
測試項目會依據設備狀況、已完成的維修工作及所需驗收標準制定。
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